学术讲座 | 王中强:离子型忆阻材料与存储/突触器件

发布者:李晓婉发布时间:2021-11-11浏览次数:10


报告题目:离子型忆阻材料与存储/突触器件

报告人:王中强(教授)

主持人:  吴幸 教授

报告时间:2021年11月12日(14:00-16:00)

报告地点:信息楼133会议室


  

报告摘要:


忆阻器因其功耗低、密度高等优势,在信息存储、类脑模拟、存算一体等领域有着广泛应用。离子型忆阻材料是一类基础性忆阻材料,其中离子动力学过程(迁移、扩散)的随机性是限制器件可靠性和功能化的主要问题。围绕上述问题,报告将介绍本研究组在高性能忆阻器研制方面的研究思路与方案:引入界面电场促进导电通道局域化,准确模拟Bienenstock-Cooper-Munro (BCM) 学习规则等多种类脑学习功能;构筑人工/天然微纳孔道促进导电通道有序化,实现7.5 fJ超低能耗;设计光电协同调控忆阻材料,研制光/电、光/光调制的忆阻突触器件;同时,简单介绍忆阻器在逻辑运算、图像识别等初步应用探究。




报告人简介:       


王中强,教授,东北师范大学物理学院,吉林省青年拔尖人才。2013年博士毕业于东北师范大学,2014年至2016年在意大利米兰理工大学进行博士后研究。作为第一/通讯作者在Nat. Commun.、Adv. Funct. Mater.等期刊发表论文50余篇,作为主要完成人获2019年国家自然科学奖二等奖(5/5);主持面上项目等多项国家自然科学基金。